Bu çalışmada, birbirine paralel ikili, iki boyutlu elektron gazını (2BEG) modellemek için III-V grubu yarı iletken elementlerinden AlGaAs/GaAs heteroyapısının enerji bant dağılımı Schrödinger ve Poissson denklemlerinin öz uyumlu çözümüyle elde edilmiştir. AlGaAs/GaAs heteroyapıların elektronik özellikleri katkılamanın 2BEG’in tek ve her iki tarafına yapılması durumunda katkılamanın bir fonksiyonu olarak incelenmiştir. Ayrıca; enerji bant dağılımının Al konsantrasyonuna bağlı değişimi sistematik olarak araştırılmıştır.
Primary Language | Turkish |
---|---|
Subjects | Engineering |
Journal Section | Fizik |
Authors | |
Publication Date | February 3, 2015 |
Published in Issue | Year 2014 |